27C512-10 vs 27C512-25 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 27C512-10 מאת Texas Instruments ו 27C512-25 מאת Microchip Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Texas Instruments
27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments
27C512-10 ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | 27C512-10 | 27C512-25 |
|---|---|---|
| מותג | Texas Instruments | Microchip Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | Obsolete |
| גודל זיכרון | 512 Kbit | — |
| ארגון | 64K x 8 | — |
| סוג זיכרון | OTP EPROM (CMOS) | CMOS EPROM (UV / OTP) |
| Access Time (Speed Grade -10) | 100 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | +5 V with +/-10% tolerance | — |
| Programming Voltage (VPP) | +12.5 V | — |
| Standby Current | 20 uA typical (CMOS standby) | — |
| Operating Mode | Totally static operation | Asynchronous |
| ממשק | Parallel, TTL compatible | — |
| Address Lines | 15 (A0-A14) | — |
| Data Lines | 8 (Q0-Q7), tri-state outputs | — |
| Control Signals | /E (chip enable), /G (output enable) | — |
| Pinout Standard | JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout | JEDEC-approved 28-pin |
| מארז | 28-pin DIP | DIP-28 |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Erase Method | One-Time Programmable (not erasable) | UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| סטטוס RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Organization | — | 64K x 8 (524,288 bits) |
| Maximum Access Time | — | 250 ns |
| Supply Voltage (Read Mode) | — | 5 V +/- 10% |
| Standby Current (CMOS) | — | 20 uA typical |
| סוג פלט | — | 3-state, common I/O |
| Programming Method | — | High-voltage EPROM programming (Flashrite type) |
| Access Time Guarantee | — | Any byte in less than 250 ns |
| Technology | — | CMOS floating gate |