2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon و IR2011SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED21834S06JXUMA1 | IR2011SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | Half-bridge (high-side + low-side) | High-Side and Low-Side, Inverting |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | 650 V | — |
| Typical Sink Current | 2.5 A | — |
| Typical Source Current | 2.5 A | — |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| العلبة | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | 8-SOIC (DSO-8) |
| عدد الدبابيس | 14 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 | — |
| عدد المخارج | — | 2 |
| Offset Voltage (High-Side, max) | — | 200 V |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) | — | 10 V to 20 V |
| Output Source/Sink Current | — | 1 A / 1 A (typ) |
| Propagation Delay (typ) | — | 80 ns |
| Rise / Fall Time (typ) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS / LSTTL, down to 3.0 V |
| dV/dt Immunity | — | Yes |
| Negative Transient Tolerance | — | Yes (on VS pin) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Tube / Reel Packaging | — | Tube (per Infineon PBF convention) |