2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21834S06JXUMA1 tarafından Infineon ve IR2011SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21834S06JXUMA1 IR2011SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-Side and Low-Side, Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (DSO-8)
Pin Sayısı 14 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
RoHS Durumu Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Çıkış Sayısı — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on VS pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin