2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon और IR2011SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IR2011SPBF IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED21834S06JXUMA1 IR2011SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-Side and Low-Side, Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
पैकेज PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (DSO-8)
पिन की संख्या 14 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
RoHS स्थिति Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
आउटपुट की संख्या — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on VS pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध