2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 2ED21834S06JXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IR2011SPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IR2011SPBF IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার 2ED21834S06JXUMA1 IR2011SPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-Side and Low-Side, Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
প্যাকেজ PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (DSO-8)
পিনের সংখ্যা 14 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
আউটপুটের সংখ্যা — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on VS pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট