2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL900G3XTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL900G3XTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Junction-isolated (level-shifted)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Peak Source Current 4 A 3 A
Peak Sink Current 6 A 4 A
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) 3.3 V / 5 V
العلبة TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
عدد المخارج — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر