2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL900G3XTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8034G4CXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL900G3XTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Junction-isolated (level-shifted)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Peak Source Current 4 A 3 A
Peak Sink Current 6 A 4 A
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) 3.3 V / 5 V
מארז TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
מספר יציאות — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
טמפרטורת צומת פעולה — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר