AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4A-62BIN بواسطة Alliance Memory و K4A8G165WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| الواجهة | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| زمن الوصول CAS | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| عدد الدبابيس | — | 96 |