AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BIN द्वारा Alliance Memory और K4A8G165WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| इंटरफ़ेस | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| पिन की संख्या | — | 96 |