AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4A-62BIN بذریعہ Alliance Memory اور K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIWE K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AS4C512M16D4A-62BIN K4A8G165WB-BIWE
برانڈ Alliance Memory Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps per pin 3200 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C -40°C to +95°C
پیکیج 96-FBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA
انٹرفیس POD (Pseudo Open Drain) Parallel
CAS لیٹنسی Programmable (e.g., 22 cycles) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop 4) 8, 16
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh, Self-refresh
RoHS Compliant Compliant
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Density — 8 Gb
On-Die Termination — Yes
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں