BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N04LSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC074N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC019N04LSTATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm 7.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
العلبة TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Body Diode — Integrated

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر