BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC019N04LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC074N15NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC019N04LSTATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm 7.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
প্যাকেজ TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Body Diode — Integrated

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট