BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC019N04LSTATMA1 bằng Infineon và BSC074N15NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC019N04LSTATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm 7.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Hộp TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Body Diode — Integrated

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá