BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC074N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC019N04LSTATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm 7.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
پیکیج TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Body Diode — Integrated

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں