BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC022N04LS6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC084P03NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 79 W
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Technology — OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Channel Type — N-Channel
عدد الأطراف — 8
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر