BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC084P03NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC022N04LS6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC084P03NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 79 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Technology — OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Channel Type — N-Channel
পিন সংখ্যা — 8
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 C to +175 C (junction)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট