BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC084P03NS3GATMA1 bằng Infineon và BSC022N04LS6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC084P03NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 79 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C —
Hộp PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Technology — OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Channel Type — N-Channel
Số chân — 8
Nhiệt độ hoạt động — -55 C to +175 C (junction)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá