BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC084P03NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC022N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC084P03NS3GATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | — |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 79 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Technology | — | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| पिन काउंट | — | 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (junction) |