BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC084P03NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC084P03NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 79 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Technology — OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Channel Type — N-Channel
پن کی تعداد — 8
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (junction)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں