BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC084P03NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC022N04LS6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC084P03NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 79 W
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Technology — OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Channel Type — N-Channel
מספר פינים — 8
טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (junction)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר