BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS126H6327XTSA2 بواسطة Infineon و SS0530 بواسطة Panjit. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS126H6327XTSA2 SS0530
العلامة التجارية Infineon Panjit
الفئة MOSFETs Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
العلبة SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction, typical) —
عدد الأطراف 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر