BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور SS0530 بذریعہ Panjit. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS126H6327XTSA2 SS0530
برانڈ Infineon Panjit
زمرہ MOSFETs Diodes
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) —
پن کی تعداد 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں