BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon و SS0530 توسط Panjit. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS126H6327XTSA2 SS0530
برند Infineon Panjit
دسته‌بندی MOSFETs Diodes
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction, typical) —
تعداد پایه 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
محدوده دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت