BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon ו SS0530 מאת Panjit. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSS126H6327XTSA2 SS0530
מותג Infineon Panjit
קטגוריה MOSFETs Diodes
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
מארז SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical) —
מספר פינים 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר