BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon و BSZ036NE2LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | 37 W |
| العلبة / الحالة | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Single |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| مستوى MSL | 1 | 1 (Unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| العلبة | — | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |