BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ065N03LSATMA1 توسط Infineon و BSZ036NE2LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ065N03LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W 37 W
بسته‌بندی / کیس PG-TSDSON-8-FL (S308) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel Single
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +150C
سطح MSL 1 1 (Unlimited)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
بسته‌بندی — PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت