BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N03LSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ065N03LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W 37 W
Paket / Kas PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel Single
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C
MSL Seviyesi 1 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Paket — PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin