BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSZ065N03LSATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSZ036NE2LSATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSZ065N03LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W 37 W
Kemasan / Case PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel Single
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Aras MSL 1 1 (Unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Kemasan — PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga