BTH62004ESAXUMA1 vs BTM9011EPXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTH62004ESAXUMA1 بواسطة Infineon و BTM9011EPXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTH62004ESAXUMA1 BTM9011EPXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Motor Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Family PROFET+ 48V —
Number of Channels 4 —
البنية الطوبولوجية 4 x High-Side (1:1) Full-bridge (H-bridge) with integrated power MOSFETs
On-State Resistance (RDS(on)) 200 mΩ typical per channel —
Nominal Load Current per Channel 1 A —
Supply Voltage Range Up to 54 V —
Load-Dump Tolerance 60 V (transient, per datasheet) —
Power Transistor Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Current Sense Diagnosis Yes (analog IS pin) —
Protection Features Over-temperature, over-voltage, short-circuit, reverse battery —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C junction —
العلبة PG-TSDSO-24-21 (exposed pad) PG-TSDSO-14 with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
Output Current Limit — 10 A (typ)
Path Resistance (per HS+LS) — 175 mΩ typical at 25 °C
Pulse Current (tpulse ≤ 1 s at 85 °C) — 5.2 A
Pulse Current (tpulse ≤ 10 s at 85 °C) — 4.2 A
Supply Voltage Range (normal) — 7 V to 18 V
Supply Voltage Range (extended) — 4.5 V to 40 V
PWM Frequency — up to 20 kHz
الواجهة — SPI (status, configuration, diagnostics)
Current Limitation — Min, integrated
Technology — BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) monolithic
Operating Temperature (junction) — -40 °C to +150 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر