BTH62004ESAXUMA1 vs BTM9011EPXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTH62004ESAXUMA1 מאת Infineon ו BTM9011EPXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTH62004ESAXUMA1 BTM9011EPXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Motor Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Family PROFET+ 48V —
Number of Channels 4 —
טופולוגיה 4 x High-Side (1:1) Full-bridge (H-bridge) with integrated power MOSFETs
On-State Resistance (RDS(on)) 200 mΩ typical per channel —
Nominal Load Current per Channel 1 A —
Supply Voltage Range Up to 54 V —
Load-Dump Tolerance 60 V (transient, per datasheet) —
Power Transistor Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Current Sense Diagnosis Yes (analog IS pin) —
Protection Features Over-temperature, over-voltage, short-circuit, reverse battery —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C junction —
מארז PG-TSDSO-24-21 (exposed pad) PG-TSDSO-14 with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
Output Current Limit — 10 A (typ)
Path Resistance (per HS+LS) — 175 mΩ typical at 25 °C
Pulse Current (tpulse ≤ 1 s at 85 °C) — 5.2 A
Pulse Current (tpulse ≤ 10 s at 85 °C) — 4.2 A
Supply Voltage Range (normal) — 7 V to 18 V
Supply Voltage Range (extended) — 4.5 V to 40 V
PWM Frequency — up to 20 kHz
ממשק — SPI (status, configuration, diagnostics)
Current Limitation — Min, integrated
Technology — BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) monolithic
Operating Temperature (junction) — -40 °C to +150 °C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר