BTS5215LAUMA1 vs BTS621L1E3128ABUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS5215LAUMA1 بواسطة Infineon و BTS621L1E3128ABUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS5215LAUMA1 BTS621L1E3128ABUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch Dual-channel smart high-side power switch (PROFET)
Number of Channels 2 2 (dual high-side, 1:1)
On-State Resistance (RDS(on)) 90 mΩ typical per channel —
Continuous Output Current per Channel 3.7 A —
Operating Voltage Range 8 V to 36 V —
Standby Current Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA]) —
Input Logic Compatibility CMOS-compatible, ground-referenced CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback Status feedback per channel Yes - open-load and overtemperature reporting
MOSFET Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Load Type Support Resistive and inductive loads —
Protection Features Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage —
Demagnetization Fast demagnetization of inductive loads —
العلبة PG-DSO-12-9 PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab)
درجة حرارة التشغيل -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact] —
حالة RoHS Compliant —
FET Topology — N-Channel vertical power MOSFET with charge pump
On-State Resistance Rds(on) — 8 mΩ typical per channel
Nominal Operating Voltage — 12 V (automotive bus)
Maximum Supply Voltage — 24 V (load-dump survivable)
Continuous Load Current — 4.4 A per channel
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C junction
نوع التركيب — Surface Mount
Embedded Protection — Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery
Technology — Smart SIPMOS (monolithic)
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر