BTS5215LAUMA1 vs BTS621L1E3128ABUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BTS5215LAUMA1 توسط Infineon و BTS621L1E3128ABUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BTS5215LAUMA1 BTS621L1E3128ABUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Smart High-Side Power Switch Dual-channel smart high-side power switch (PROFET)
Number of Channels 2 2 (dual high-side, 1:1)
On-State Resistance (RDS(on)) 90 mΩ typical per channel —
Continuous Output Current per Channel 3.7 A —
Operating Voltage Range 8 V to 36 V —
Standby Current Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA]) —
Input Logic Compatibility CMOS-compatible, ground-referenced CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback Status feedback per channel Yes - open-load and overtemperature reporting
MOSFET Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Load Type Support Resistive and inductive loads —
Protection Features Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage —
Demagnetization Fast demagnetization of inductive loads —
بسته‌بندی PG-DSO-12-9 PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab)
دمای کاری -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact] —
وضعیت RoHS Compliant —
FET Topology — N-Channel vertical power MOSFET with charge pump
On-State Resistance Rds(on) — 8 mΩ typical per channel
Nominal Operating Voltage — 12 V (automotive bus)
Maximum Supply Voltage — 24 V (load-dump survivable)
Continuous Load Current — 4.4 A per channel
محدوده دمای کاری — -40 °C to +150 °C junction
نوع نصب — Surface Mount
Embedded Protection — Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery
Technology — Smart SIPMOS (monolithic)
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت