BTS5215LAUMA1 vs BTS621L1E3128ABUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS5215LAUMA1 מאת Infineon ו BTS621L1E3128ABUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTS5215LAUMA1 BTS621L1E3128ABUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch Dual-channel smart high-side power switch (PROFET)
Number of Channels 2 2 (dual high-side, 1:1)
On-State Resistance (RDS(on)) 90 mΩ typical per channel —
Continuous Output Current per Channel 3.7 A —
Operating Voltage Range 8 V to 36 V —
Standby Current Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA]) —
Input Logic Compatibility CMOS-compatible, ground-referenced CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback Status feedback per channel Yes - open-load and overtemperature reporting
MOSFET Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Load Type Support Resistive and inductive loads —
Protection Features Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage —
Demagnetization Fast demagnetization of inductive loads —
מארז PG-DSO-12-9 PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab)
טמפרטורת פעולה -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact] —
סטטוס RoHS Compliant —
FET Topology — N-Channel vertical power MOSFET with charge pump
On-State Resistance Rds(on) — 8 mΩ typical per channel
Nominal Operating Voltage — 12 V (automotive bus)
Maximum Supply Voltage — 24 V (load-dump survivable)
Continuous Load Current — 4.4 A per channel
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C junction
סוג הרכבה — Surface Mount
Embedded Protection — Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery
Technology — Smart SIPMOS (monolithic)
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר