BTS5215LAUMA1 vs BTS621L1E3128ABUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BTS5215LAUMA1 بذریعہ Infineon اور BTS621L1E3128ABUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BTS621L1E3128ABUMA1 - 24V Dual Hi-Side Switch, 8mΩ PROFET | Infineon
BTS621L1E3128ABUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BTS5215LAUMA1 | BTS621L1E3128ABUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Product Type | Smart High-Side Power Switch | Dual-channel smart high-side power switch (PROFET) |
| Number of Channels | 2 | 2 (dual high-side, 1:1) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 90 mΩ typical per channel | — |
| Continuous Output Current per Channel | 3.7 A | — |
| Operating Voltage Range | 8 V to 36 V | — |
| Standby Current | Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA]) | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS-compatible, ground-referenced | CMOS-compatible, ground-referenced |
| Diagnostic Feedback | Status feedback per channel | Yes - open-load and overtemperature reporting |
| MOSFET Technology | N-channel vertical power MOSFET with charge pump | — |
| Load Type Support | Resistive and inductive loads | — |
| Protection Features | Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage | — |
| Demagnetization | Fast demagnetization of inductive loads | — |
| پیکیج | PG-DSO-12-9 | PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| FET Topology | — | N-Channel vertical power MOSFET with charge pump |
| On-State Resistance Rds(on) | — | 8 mΩ typical per channel |
| Nominal Operating Voltage | — | 12 V (automotive bus) |
| Maximum Supply Voltage | — | 24 V (load-dump survivable) |
| Continuous Load Current | — | 4.4 A per channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40 °C to +150 °C junction |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Embedded Protection | — | Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery |
| Technology | — | Smart SIPMOS (monolithic) |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant (Pb-free) |