CGD65A055S2 vs CGD65C025SP2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CGD65A055S2 بواسطة Cambridge GaN Devices و CGD65C025SP2 بواسطة Cambridge GaN Devices. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل CGD65A055S2 CGD65C025SP2
العلامة التجارية Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
الفئة Transistors MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) ICeGaN® (no negative gate supply required)
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
العلبة 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement mode (normally-off)
حالة RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C025SP2
نوع الترانزستور — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 60 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 25 mΩ (typical)
Configuration — Single N-Channel
Material — GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
Switching Frequency Suitability — High frequency (fast turn-on, easy paralleling)
Datasheet Status — Preliminary (May 2024)
AEC-Q100 Qualification — unknown

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر