CGD65A055S2 vs CGD65C025SP2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma CGD65A055S2 tarafından Cambridge GaN Devices ve CGD65C025SP2 tarafından Cambridge GaN DevicesAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre CGD65A055S2 CGD65C025SP2
Marka Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
Kategori Transistors MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) ICeGaN® (no negative gate supply required)
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
Paket 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement mode (normally-off)
RoHS Durumu Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C025SP2
Transistor Türü — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 60 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 25 mΩ (typical)
Configuration — Single N-Channel
Material — GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
Switching Frequency Suitability — High frequency (fast turn-on, easy paralleling)
Datasheet Status — Preliminary (May 2024)
AEC-Q100 Qualification — unknown

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin