CGD65A055S2 vs CGD65C025SP2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65C025SP2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CGD65A055S2 CGD65C025SP2
برانڈ Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
زمرہ Transistors MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) ICeGaN® (no negative gate supply required)
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
پیکیج 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement mode (normally-off)
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C025SP2
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 60 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 25 mΩ (typical)
Configuration — Single N-Channel
Material — GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
Switching Frequency Suitability — High frequency (fast turn-on, easy paralleling)
Datasheet Status — Preliminary (May 2024)
AEC-Q100 Qualification — unknown

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں