CGD65A055S2 vs CGD65C025SP2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CGD65A055S2 توسط Cambridge GaN Devices و CGD65C025SP2 توسط Cambridge GaN Devices. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CGD65A055S2 CGD65C025SP2
برند Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
دسته‌بندی Transistors MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) ICeGaN® (no negative gate supply required)
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
بسته‌بندی 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement mode (normally-off)
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C025SP2
نوع ترانزیستور — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 60 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 25 mΩ (typical)
Configuration — Single N-Channel
Material — GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
Switching Frequency Suitability — High frequency (fast turn-on, easy paralleling)
Datasheet Status — Preliminary (May 2024)
AEC-Q100 Qualification — unknown

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت