FDD8896 vs FDD8880 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FDD8896 بواسطة onsemi و FDD8880 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

onsemi
FDD8896 FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل FDD8896 FDD8880
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي آخر فرصة للشراء
نوع الترانزستور N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
عدد الأطراف 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
حالة دورة الحياة — Last Shipments

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر