FDD8896 vs FDD8880 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FDD8896 מאת onsemi ו FDD8880 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ רכישה אחרונה

השוואת מפרטים

פרמטר FDD8896 FDD8880
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים סוף חיים רכישה אחרונה
סוג טרנזיסטור N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
מספר פינים 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
סטטוס RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
סטטוס מחזור חיים — Last Shipments

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר