FDD8896 vs FDD8880 So sánh

So sánh chi tiết song song của FDD8896 bằng onsemi và FDD8880 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Lần mua cuối

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số FDD8896 FDD8880
Thương hiệu onsemi onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Cuối chu kỳ cuộc sống Lần mua cuối
Kiểu transitor N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
Số chân 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Trạng thái vòng đời — Last Shipments

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá