H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (MT/s) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| الواجهة | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | -40C to +95C |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |