H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NCJR-VKC द्वारा SK hynix और K4A8G165WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2666 Mbps (MT/s) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | -40C to +95C |
| पैकेज | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |