H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC 比較
詳細並排比較 H5AN8G6NCJR-VKC 由 SK hynix 與 K4A8G165WB-BCRC 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| 品牌 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 類別 | DRAM | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| 記憶體容量 | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 資料速率 | 2666 Mbps (MT/s) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| 介面 | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| 工作溫度 | 0C to +95C | -40C to +95C |
| 封裝 | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| 功能特色 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 生命週期狀態 | Active | — |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |