H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| رابط | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| دمای کاری | 0C to +95C | -40C to +95C |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |