H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-UHC بواسطة SK hynix و AS4C512M16D4A-62BCN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR-UHC | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| العلبة | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| معدل البيانات | — | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| زمن الوصول CAS | — | 18 ns |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| الواجهة | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |