H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix و AS4C512M16D4A-62BCN توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NDJR-UHC AS4C512M16D4A-62BCN
برند SK hynix Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
بسته‌بندی FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
اندازه حافظه — 8 Gbit
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
نرخ داده — 1600 MHz (3200 Mbps)
تأخیر CAS — 18 ns
دمای کاری — 0°C to 95°C
نوع نصب — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
رابط — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
Packaging — Tray

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت