H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix và AS4C512M16D4A-62BCN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NDJR-UHC AS4C512M16D4A-62BCN
Thương hiệu SK hynix Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Hộp FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Tốc độ dữ liệu — 1600 MHz (3200 Mbps)
Latency CAS — 18 ns
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to 95°C
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Giao diện — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Trạng thái RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá