H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-PBC بواسطة SK hynix و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| التنظيم | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| الميزات | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +95 C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| الواجهة | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |