H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NCJR-PBC bằng SK hynix và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| Danh mục | Memory ICs | EEPROM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $19,69 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Tổ chức | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Tốc độ dữ liệu | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| Hộp | 78-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Tính năng | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| Trạng thái RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +95 C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Giao diện | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |